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ZVNL120CSTZ 时间：2023/9/6 17:59:52 阅读：443

产品种类：MOSFET小信号

概述

制造商：DiodesInc.
产品种类：MOSFET小信号
RoHS：是
晶体管极性：N-Channel
电阻汲极/源极RDS（导通）：10Ohms
汲极/源极击穿电压：200V
闸/源击穿电压：+/-20V
漏极连续电流：180mA
功率耗散：700mW
安装风格：ThroughHole
封装/箱体：TO-92
封装：Bulk
StandardPackQty：4000

ZVNL120CSTZ推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

ZVNL120CSTZ
深圳市优尚半导体科技有限公司
9946
DIODES
2023+/TO923

ZVNL120CSTZ
深圳市炀城实业有限公司
5000
Diodes Incorporated
24+/MOSFET NCH 200V 0.18A TO923

ZVNL120CSTZ
深圳市金嘉锐电子有限公司
9860
Diodes
2025+/TO923

ZVNL120CSTZ
深圳市创芯联盈电子有限公司
9000
Diodes
22+/ELine3

ZVNL120CSTZ
深圳市河锋鑫科技有限公司
9000
Diodes
2024+/ELine3

ZVNL120CSTZ
深圳市腾桩电子有限公司
9000
Diodes
25+/ELine3

ZVNL120CSTZ
深圳市吉铭贸易有限公司
50000
Diodes Incorporated
2020+/MOSFET NCH 200V 0.18A TO923

ZVNL120CSTZ
深圳市世纪成达电子科技有限公
9000
Diodes
22+/ELine3

ZVNL120CSTZ
柒号芯城电子商务(深圳)有限公
8913
Diodes
23+/ELine3

ZVNL120CSTZ
深圳市科鑫美电子有限公司
9000
Diodes
22+/ELine3

ZVNL120CSTZ
深圳市芯创恒微电子有限公司
3000
diodes
20+/TO923

ZVNL120CSTZ
深圳市得捷芯电子科技有限公司
6750
diodes
25+/TO923

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IC词条百科

ZVNL120CSTZ参数

标准包装2,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 单
系列-
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C180mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C10 欧姆 @ 250mA，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs-
输入电容 (Ciss) @ Vds85pF @ 25V
功率 - 最大700mW
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商设备封装TO-92-3
包装带盒（TB）

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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