时间：2025/7/30 22:48:00
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SU3017220YLB 是一款由SEMI-UTMOST（台湾半导体极致科技）生产的高电压、大电流MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效功率管理的各类电源转换和电机控制应用。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET制造技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）以及优异的热稳定性。SU3017220YLB 主要设计用于DC-DC转换器、电池管理系统、电源管理单元（PMU）、电动工具和电动车电机控制器等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏-源电压（VDS）：170V
导通电阻（Rds(on)）：约30mΩ（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
最大功耗（Ptot）：80W
封装形式：TO-263（D2PAK）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
SU3017220YLB MOSFET的核心特性之一是其极低的导通电阻，有助于显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高耐压能力，最大漏-源电压可达170V，使其适用于中高功率应用。其采用的沟槽式技术还带来了较高的电流承载能力和良好的热稳定性。
这款MOSFET的封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，具有较好的散热性能，适用于高密度PCB设计。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和过热保护特性，增强了在严苛环境下的可靠性。
SU3017220YLB的栅极驱动电压范围适中，通常在10V左右可实现完全导通，这使得其与常见的PWM控制器和栅极驱动IC兼容。其栅极阈值电压较低，有助于降低驱动电路的复杂性，同时避免误触发的可能性。
该器件还具备快速开关能力，减少开关损耗，从而提升整体电源转换效率。这在高频开关应用（如同步整流器和DC-DC转换器）中尤为重要。
SU3017220YLB 主要用于各种功率电子系统中，例如：
1. 电池管理系统（BMS）中的高边或低边开关；
2. 电动车（如电动滑板车、电动自行车）的电机控制器；
3. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器；
4. DC-DC升压/降压转换器中的高效率开关元件；
5. 逆变器和不间断电源（UPS）系统中的功率开关；
6. 工业自动化设备中的电机驱动与控制电路。
IPB017N17N3 G | FDPF30N170SD | IXFH30N170P
