时间：2025/9/1 11:26:49
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H9CCNNN8GTALAR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第四代）系列，专为移动设备和嵌入式系统设计，具有高带宽、低功耗和紧凑封装等特点。H9CCNNN8GTALAR 常用于智能手机、平板电脑、便携式游戏设备以及其他对功耗和空间有严格要求的高性能计算设备。
容量：8Gb（1GB）
类型：LPDDR4 SDRAM
封装：BGA（球栅阵列）
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
位宽：16位
封装尺寸：具体尺寸需参考数据手册
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
H9CCNNN8GTALAR 采用先进的DRAM制造工艺，具备出色的性能和能效。其LPDDR4架构支持双倍数据速率传输，使得数据传输速率可达到3200Mbps，满足了高带宽需求的应用场景。此外，该芯片工作电压为1.1V，显著降低了功耗，延长了设备的电池寿命。
该DRAM芯片采用紧凑的BGA封装形式，适用于空间受限的便携式电子产品。其16位的数据宽度可以在保持较高带宽的同时减少引脚数量，降低PCB设计复杂度。
在工作温度范围方面，H9CCNNN8GTALAR 可在-40°C至+85°C的范围内稳定运行，适应各种严苛的环境条件，适用于工业级和消费级应用。
H9CCNNN8GTALAR 主要应用于需要高性能和低功耗内存的移动设备和嵌入式系统。典型应用包括智能手机、平板电脑、便携式游戏机、可穿戴设备以及工业控制和车载电子设备。其高带宽和低功耗特性使其成为高性能应用处理器的理想配套内存。
H9CPNNN8GDALAR、H9CQNNN8GTYMRS、H9CXNNN8GTYMRS
