晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

C945LT1/CR晶体管具备优异的高频响应特性，适合用于放大和高速开关电路。其NPN结构使其在正向偏置条件下具有良好的导通性能，同时具备较低的基极-发射极开启电压（通常约为0.6V至0.7V），有助于提高电路效率。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，根据不同的等级可提供从110到800的不同增益值，满足多种应用场景对放大倍数的需求。此外，其最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，使其适用于中低功率的模拟和数字电路。
　　采用SOT-23封装，C945LT1/CR具有体积小、重量轻、易于焊接和布局的特点，非常适合在高密度PCB设计中使用。此外，该封装也具备良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
　　该晶体管还具有较低的饱和压降（Vce_sat），通常在100mA集电极电流下仅为0.2V至0.3V，这有助于降低功耗并提高电路效率。此外，其最大功耗为300mW，在常规应用中无需额外散热措施即可正常工作。

C945LT1/CR适用于多种通用电子电路设计，包括低功率放大器、开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制以及数字电路中的缓冲器和逆变器。由于其高频响应良好，该晶体管常用于音频放大电路和射频（RF）前端电路中的信号放大。
　　在工业自动化和控制领域，C945LT1/CR可用于驱动小型继电器或光耦合器，实现信号隔离和电路控制。在消费类电子产品中，如遥控器、玩具、收音机和家用电器中，该晶体管常用于信号处理和电源管理电路。
　　此外，该晶体管也广泛应用于嵌入式系统和微控制器外围电路中，用于驱动LED、蜂鸣器和其他执行器。其良好的稳定性和广泛的工作温度范围使其适合在各种环境条件下运行。

2N3904, BC547, PN2222A