MMBV2105L 时间：2025/7/18 18:45:07 阅读：4

MMBV2105L 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道、双极性电压控制可变衰减器（Voltage Variable Attenuator, VVA），采用小型化的 SOT-23 封装。该器件专为射频（RF）和微波信号衰减控制应用设计，能够通过调节控制电压来实现对信号幅度的动态调整，广泛用于通信系统、无线基础设施、测试仪器以及需要射频信号调节的场合。

参数

类型：电压控制可变衰减器（VVA）
　　通道数：2
　　频率范围：DC 至 1 GHz（典型应用）
　　衰减范围：0 至 30 dB（典型）
　　衰减控制电压范围：0 至 30 V（典型）
　　插入损耗（最小衰减）：约 1.5 dB @ 1 GHz
　　隔离度（最大衰减）：约 40 dB @ 1 GHz
　　输入功率：最大 20 dBm
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

MMBV2105L 是一款基于 PIN 二极管结构的双通道电压控制衰减器，每个通道均可独立控制，适用于多种射频系统中的信号调节需求。其主要特性包括宽频率响应范围（DC 至 1 GHz）、宽衰减控制范围（0 至 30 dB）、低插入损耗以及良好的线性度和稳定性。该器件的控制电压范围为 0 至 30 V，通过调节控制电压可以实现对射频信号幅度的精确控制，适用于自动增益控制（AGC）电路、射频信号强度调节、发射功率控制等应用。
　　MMBV2105L 采用 SOT-23 小型封装，便于在高密度 PCB 设计中使用。其高隔离度（约 40 dB）和低插入损耗（约 1.5 dB）特性使其在高性能射频系统中表现出色。此外，该器件具有良好的温度稳定性和抗干扰能力，适用于工业和通信级应用。
　　该器件无需外部偏置电路，只需提供控制电压即可工作，简化了电路设计和布局。MMBV2105L 的典型应用包括无线基站、射频测试设备、功率放大器模块、天线调谐系统等。由于其双通道结构，可以同时控制两个独立射频信号路径的衰减，适用于多频段或多通道系统。

应用

MMBV2105L 主要应用于射频和微波通信系统中的信号衰减控制，如无线基站、射频测试仪器、发射功率控制模块、自动增益控制（AGC）电路、多频段射频前端模块等。其双通道特性使其适用于需要同时控制两个射频信号路径的系统，例如 MIMO（多输入多输出）通信系统、分集接收器、射频分配网络等。此外，该器件也可用于工业和医疗射频设备中的信号强度调节。