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FGL60N100DTU 发布时间 时间:2023/12/19 17:14:05 查看 阅读:140

产品种类: IGBT 晶体管

目录

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-264
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1000 V
集电极—射极击穿电压: 1000 V
集电极—射极饱和电压: 1.6 V
集电极最大连续电流 Ic: 60 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 500 nA
功率耗散: 176 W
封装: Tube

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FGL60N100DTU参数

  • 标准包装375
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列-
  • IGBT 类型沟道
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1000V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.9V @ 15V,60A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最大176W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264
  • 包装管件