DMN3404L-7-F 时间：2025/5/22 0:06:08 阅读：4

DMN3404L-7-F 是一款来自 Diodes 公司的 N 沟道逻辑增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的 SOT23-6 封装，适用于空间受限的设计。DMN3404L-7-F 的低导通电阻特性使其成为便携式设备、消费电子和通信产品中高效开关的理想选择。
　　这款 MOSFET 在低电压条件下表现出色，特别适合电池供电的应用场景，例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网设备中的负载开关、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：1.9A
　　导通电阻：55mΩ
　　栅极电荷：3.8nC
　　工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
　　封装形式：SOT23-6

特性

DMN3404L-7-F 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=4.5V 时仅为 55mΩ，这有助于降低功率损耗并提高效率。
　　2. 快速开关性能，得益于其较低的栅极电荷，能够减少开关损耗。
　　3. 小巧的 SOT23-6 封装设计，节省 PCB 空间，非常适合紧凑型设计。
　　4. 宽工作温度范围，能够在极端环境下保持稳定运行。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品制造需求。

应用

DMN3404L-7-F 广泛应用于以下领域：
　　1. 消费类电子产品中的负载开关。
　　2. 电池供电设备中的电源管理电路。
　　3. DC-DC 转换器和降压/升压转换器。
　　4. 驱动小型直流电机或振动马达。
　　5. 保护电路，如过流保护和短路保护。
　　6. 物联网 (IoT) 设备中的电源控制模块。