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PEMD14,115 发布时间 时间:2025/9/14 20:39:18 查看 阅读:10

PEMD14,115 是由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件主要用于低频功率放大和开关应用。其封装形式为 SOT428(也称为 DPAK 封装),具有良好的散热性能,适用于需要较高功率处理能力的电路设计。PEMD14,115 是一款性价比较高的晶体管,广泛应用于工业控制、电源管理和消费类电子产品中。

参数

类型:NPN 双极型晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):100V
  集电极-基极电压(VCBO):100V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):4A
  功耗(PD):30W
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):在 IC=2A 时,典型值为 50~500(根据不同等级划分)

特性

PEMD14,115 晶体管具有优异的电气特性和稳定性,适用于多种功率应用。其最大集电极-发射极电压为 100V,能够在较高的电压环境下稳定工作。该器件的集电极电流最大可达 4A,具有较强的电流承载能力,适合用于中等功率的开关和放大电路。此外,其增益带宽积达到 100MHz,保证了在高频应用中的良好响应性能。
  这款晶体管采用了 SOT428(DPAK)封装技术,具有良好的热管理能力,能够在较高的功率下保持稳定运行。这种封装还支持表面贴装技术(SMT),便于在现代 PCB 设计中使用,提高生产效率和电路可靠性。PEMD14,115 的 hFE(电流增益)范围较宽,从 50 到 500 不等,可以根据不同应用场景选择合适的增益等级,满足多种电路设计需求。

应用

PEMD14,115 主要用于中等功率的开关和放大电路。它在工业控制设备中被广泛用于驱动继电器、电机和LED显示屏等负载。此外,该晶体管也适用于电源管理电路,如 DC-DC 转换器和稳压器,能够有效提高系统的效率和稳定性。在汽车电子领域,PEMD14,115 常用于车载电源系统、车灯控制模块和电机驱动电路中,具备良好的抗干扰能力和环境适应性。
  消费类电子产品也是 PEMD14,115 的一个重要应用领域。它被广泛应用于电源适配器、充电器、音响设备和家用电器中,提供可靠的功率放大和开关控制功能。由于其封装形式支持表面贴装技术,因此非常适合在自动化生产线上使用,提高产品的制造效率和一致性。

替代型号

TIP122, BDW93C, 2SD1047

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PEMD14,115参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装SOT-666
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058918115PEMD14 T/RPEMD14 T/R-ND