时间：2025/12/26 9:23:00
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MBR20100CTF-G1是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的双肖特基势垒整流二极管，专为高效率、高频开关电源应用而设计。该器件采用中心抽头配置，内部集成了两个阴极连接在一起的肖特基二极管，常用于低压大电流输出的同步整流拓扑中，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器和服务器电源系统。其最大反向重复电压为100V，平均整流电流可达20A，适用于需要低功耗和高热稳定性的电源设计场景。MBR20100CTF-G1采用TO-277封装（表面贴装型），具有较小的占板面积和良好的散热性能，适合自动化贴片生产流程。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）特性，满足现代电子产品对环境友好材料的要求。由于其低正向压降和快速恢复特性，该器件能显著降低导通损耗，提高整体电源转换效率，在节能型电源设计中具有重要地位。
产品类型：双肖特基整流二极管
配置：中心抽头（Center Tap）
最大重复反向电压（VRRM）：100V
最大直流阻断电压（VR）：100V
平均整流电流（IF(AV)）：20A
峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A
最大正向压降（VF @ 20A, 每二极管）：0.83V
工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +175°C
存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +175°C
封装/包装：TO-277
安装类型：表面贴装（SMD）
引脚数：3
反向漏电流（IR @ 100V, TJ=125°C）：≤ 1.0mA
热阻（RθJC）：约1.5°C/W
符合标准：RoHS、无卤素
MBR20100CTF-G1的核心优势在于其卓越的电学性能与高可靠性设计。首先，该器件采用了先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降（典型值0.83V @ 20A），这在大电流工作条件下能够显著减少功率损耗，提升电源系统的整体效率。相较于传统的PN结二极管，肖特基二极管没有少子存储效应，因此具备极快的开关速度和近乎瞬时的反向恢复时间（trr可忽略不计），特别适用于高频PWM控制下的整流应用，有效避免了反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题。
其次，该器件采用双二极管共阴极结构，即中心抽头配置，非常适合用于全波整流电路中，尤其是在隔离式开关电源的次级侧整流环节。这种结构不仅简化了PCB布局，减少了外部元件数量，还提高了功率密度。TO-277封装具有优异的热传导能力，配合大面积焊盘设计可实现高效的热量从结到PCB的传递，确保在持续高负载运行下仍能维持稳定的结温。
此外，MBR20100CTF-G1具备宽泛的工作温度范围（-65°C至+175°C），使其能够在极端环境条件下可靠运行，适用于工业级和部分汽车电子应用场景。器件通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查具体批次），进一步增强了其在严苛应用中的可信度。其低反向漏电流设计在高温环境下依然保持良好表现，有助于防止因漏电增加而导致的热失控风险。综合来看，该器件在效率、尺寸、热性能和可靠性之间取得了良好平衡，是现代高效电源模块的理想选择之一。
MBR20100CTF-G1广泛应用于各类需要高效、低压大电流整流的电源系统中。典型应用包括：AC-DC开关电源的次级整流输出端，特别是在笔记本电脑适配器、LCD电视电源板和通信设备供电单元中，用于将高频变压器输出的交流电压整流为稳定的直流电压；在非隔离式DC-DC降压转换器中作为续流二极管或同步整流辅助器件，帮助降低导通损耗；在服务器和数据中心电源模块（POL，Point-of-Load）中实现高密度、高效率的能量转换；还可用于电池充电管理系统、LED驱动电源以及太阳能微逆变器等绿色能源领域。
由于其表面贴装封装形式，该器件特别适合自动化回流焊生产工艺，广泛用于消费类电子产品的大批量制造。同时，凭借其高耐热性和长期稳定性，也适用于工业控制电源、网络路由器和交换机等要求长时间连续运行的设备中。在车载信息娱乐系统或辅助电源模块中也有潜在应用价值，前提是系统工作温度在其规格范围内。此外，在冗余电源设计或多相并联整流架构中，该器件可通过并联使用进一步提升输出电流能力，满足更高功率需求的应用场景。
MBR20100CT
SR20100
MBR20H100CT
VS-20CTQ100-M3
STPS20H100CT
