时间：2025/5/10 17:31:08
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FGH60N60SMD-F085 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），采用 SMD 封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有低导通电阻、高开关速度以及良好的热性能，能够满足高效率和高可靠性的应用需求。
FGH60N60SMD-F085 的额定电压为 60V，额定电流为 60A，适合在中低压环境下工作。其封装形式紧凑，有助于节省 PCB 空间并简化设计流程。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：60A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：25nC
输入电容：4500pF
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：SMD
1. 额定电流高达 60A，适用于大功率应用。
2. 极低的导通电阻（3.5mΩ），能够有效降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 高度可靠的 SMD 封装设计，具备优良的机械稳定性和热性能。
5. 广泛的工作结温范围（-55℃ 至 +175℃），适应多种环境条件。
6. 内置反向二极管，支持续流功能，简化电路设计。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动器中的逆变桥臂开关。
3. 负载切换和保护电路。
4. 工业控制设备中的功率管理模块。
5. 电池管理系统中的充放电控制开关。
6. 各类 DC-DC 转换器和升压/降压电路。
IRF6640, FGH60N60SMD, PTH60N60SMD
