时间：2025/7/19 3:16:21
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IXFN56N90P是一款由IXYS公司生产的高电压、高电流N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统中。该器件采用TO-247封装，具备优异的热性能和高耐用性，适用于如电源开关、逆变器、电机驱动、太阳能逆变器和焊接设备等高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：900V
连续漏极电流(Id)：56A（Tc=25°C）
脉冲漏极电流(Idm)：220A
功耗(Pd)：340W
栅极阈值电压(Vgs(th))：4.5V ~ 6.5V（在Id=110mA时）
导通电阻(Rds(on))：最大值0.14Ω（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：TO-247
IXFN56N90P具备多项卓越的电气和机械特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高达900V的漏源击穿电压(Vds)和56A的连续漏极电流(Id)使其适用于高电压和高电流环境。其次，低导通电阻Rds(on)在10V栅极驱动下仅为0.14Ω，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。
此外，该MOSFET采用了先进的平面技术，提供了出色的雪崩能量承受能力，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。其TO-247封装形式具有良好的散热性能，有助于在高功率密度设计中实现有效的热管理。
IXFN56N90P还具备快速开关特性，减少了开关损耗，并提高了动态响应能力。栅极阈值电压范围为4.5V ~ 6.5V，在标准驱动电路下可轻松实现完全导通。器件的脉冲漏极电流可达220A，适用于短时高电流冲击的应用场景。
最后，该MOSFET具有良好的抗短路能力和高耐用性，适合在恶劣工业环境中使用。其宽泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)也使其在高温或低温环境下都能保持正常工作。
IXFN56N90P广泛应用于多种高功率电子系统中，包括工业电源、开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、逆变器、电机驱动器、焊接设备、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及电动汽车充电系统等。由于其高电压和高电流能力，它特别适用于需要高效功率转换和稳定性能的工业和能源系统。
IXFN56N90P的替代型号包括IXFN56N80P（800V版本）和IXFN56N100P（1000V版本），以及来自其他厂商的类似规格器件如STMicroelectronics的STF55N90M5（900V N沟道MOSFET）。
