类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大漏极电流（Id）：120A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.2mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V~4.0V
　　最大功率耗散（Pd）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220

SFE689 MOSFET 具备多项优异特性，适用于高性能功率电子系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为5.2mΩ，可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的高电流承载能力（120A）使其适用于高功率输出的应用，如DC-DC转换器和马达驱动器。
　　其次，SFE689 的最大漏源电压为60V，适用于中压功率系统，例如电池管理系统、电动车驱动器和工业电源模块。其栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，兼容常见的驱动电路，如PWM控制器和微处理器输出驱动。
　　此外，SFE689 采用TO-220封装，具备良好的热稳定性与散热能力，适用于高功率密度设计。其封装结构也提供了较强的机械强度，适用于工业和车载环境。在可靠性方面，SFE689 具备较高的短路耐受能力，可在瞬态过载条件下保持稳定工作，防止器件损坏。
　　最后，SFE689 具备优异的热稳定性和低寄生电容特性，适合高频开关操作，减少开关损耗并提升系统效率。这些特性使其成为工业电源、功率放大器、电机控制和电动车动力系统等领域的理想选择。

SFE689 主要用于需要高功率、低导通损耗和高可靠性的电子系统中。其典型应用包括：高功率DC-DC转换器、大电流马达驱动器、工业电源模块、UPS不间断电源系统、电动车控制器、电池管理系统（BMS）以及高效率功率放大器。此外，该器件也可用于高频开关电源、逆变器和各种需要高电流切换能力的功率电子设备。

IRF1404, STP120NF6F7, SiR876DP