时间：2025/8/6 7:54:54
阅读：19
IXFN48N45是一款由IXYS公司生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），设计用于高功率应用。这款MOSFET具有高电流和高电压能力，适合用于工业电机控制、电源转换和逆变器等应用。其高可靠性和高效能使其成为许多高功率电子设备的首选组件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：48A
最大漏-源电压：450V
栅极-源极电压：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.115Ω
最大功耗：200W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
IXFN48N45具有多个重要特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，它的高漏极电流能力（48A）允许其在高负载条件下工作，适合用于大功率电机驱动和电源转换设备。其次，该MOSFET的最大漏-源电压为450V，能够承受较高的电压应力，适用于高压电源和逆变器系统。
此外，该器件的导通电阻（Rds(on)）仅为0.115Ω，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。低导通电阻还能减少热量产生，从而提高设备的可靠性和寿命。IXFN48N45的封装形式为TO-247，这种封装设计有助于散热，确保在高功率工作条件下保持稳定性能。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在高温环境下可靠运行。其栅极-源极电压范围为±20V，提供了较宽的控制范围，使用户能够更灵活地进行电路设计和优化。
IXFN48N45广泛应用于需要高功率密度和高效能的电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动器、电源转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电动汽车充电系统。在这些应用中，IXFN48N45的高电流和高电压能力使其能够高效地处理大功率负载，同时其低导通电阻有助于提高整体系统效率。
IXFH48N45、IXFN44N45、IXFK48N45
