时间：2025/6/18 19:16:49
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FEE4E16180150R401JT 是一款由 Vishay 生产的功率 MOSFET 芯片，属于 E 系列增强型器件。该芯片采用 TO-263 封装形式，具有高效率、低导通电阻和优异的开关性能，适用于多种工业及消费类电子设备中的功率转换和电机驱动应用。
该型号为 N 沟道 MOSFET，其设计优化了在高频工作条件下的表现，同时具备较高的电流承载能力和较低的热阻，有助于提升整体系统性能并降低能耗。
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：15.7 A
导通电阻：0.15 Ω
栅极电荷：33 nC
输入电容：1190 pF
总功耗：155 W
工作结温范围：-55 ℃ 至 +175 ℃
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少导通损耗，提高能效。
3. 优化的栅极电荷，确保快速开关性能，降低开关损耗。
4. 具备良好的热稳定性和散热性能，可长时间在高温环境下运行。
5. 提供出色的电气过载保护功能，增强了系统的可靠性和耐用性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保无铅封装。
7. 支持表面贴装技术 (SMD)，便于自动化生产装配。
1. 开关电源 (SMPS) 和直流-直流转换器。
2. 工业用电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器及储能系统的功率管理模块。
4. 电动工具和家用电器中的高效功率切换。
5. LED 照明驱动电路中的负载切换。
6. 电池充电器和 UPS 不间断电源系统中的关键元件。
7. 各种需要高压大电流处理能力的应用场景。
FGB40N65LS, IRF840A, STP16NF65
