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F40085BPC 发布时间 时间:2025/8/24 21:16:43 查看 阅读:17

F40085BPC是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率、高频率开关应用设计,广泛用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及各种开关电源系统。F40085BPC采用先进的平面工艺制造,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,能够在高温和高电压环境下稳定工作。其封装形式为DPAK(TO-252),便于安装和散热,适用于表面贴装工艺。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):85V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):180A(在Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):最大4.5mΩ(在Vgs=10V)
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:DPAK(TO-252)

特性

F40085BPC具有多项优异的电气和物理特性,使其在高功率和高效率应用中表现出色。首先,其极低的导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统的能效。其次,该MOSFET具备高电流承载能力,能够支持高达180A的连续漏极电流,适用于高功率密度设计。此外,F40085BPC采用了先进的封装技术,具有良好的热管理性能,确保在高负载条件下依然保持稳定运行。该器件还具备快速开关特性,适用于高频开关电路,从而减小了外部电感和电容的尺寸,提高了系统的响应速度和稳定性。F40085BPC还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性,能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和安全性。最后,该器件符合RoHS环保标准,适合现代电子设备对绿色环保的要求。

应用

F40085BPC广泛应用于各种高功率和高频开关电路中。常见用途包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器、逆变器、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其出色的导通特性和热管理能力,F40085BPC特别适合需要高效能和高可靠性的电源管理应用,如服务器电源、通信设备电源、UPS不间断电源系统以及新能源汽车的电力控制系统。

替代型号

FDP40085BPC, FDS40085BPC, NTD40085BPC

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