F40085BPC 时间：2025/8/24 21:16:43 阅读：27

F40085BPC是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，广泛用于DC-DC转换器、电源管理、电机控制以及各种开关电源系统。F40085BPC采用先进的平面工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，能够在高温和高电压环境下稳定工作。其封装形式为DPAK（TO-252），便于安装和散热，适用于表面贴装工艺。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：85V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大4.5mΩ（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

特性

F40085BPC具有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率和高效率应用中表现出色。首先，其极低的导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统的能效。其次，该MOSFET具备高电流承载能力，能够支持高达180A的连续漏极电流，适用于高功率密度设计。此外，F40085BPC采用了先进的封装技术，具有良好的热管理性能，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。该器件还具备快速开关特性，适用于高频开关电路，从而减小了外部电感和电容的尺寸，提高了系统的响应速度和稳定性。F40085BPC还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受性，能够在极端工作条件下提供更高的可靠性和安全性。最后，该器件符合RoHS环保标准，适合现代电子设备对绿色环保的要求。

应用

F40085BPC广泛应用于各种高功率和高频开关电路中。常见用途包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理系统、电池充电器、逆变器、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其出色的导通特性和热管理能力，F40085BPC特别适合需要高效能和高可靠性的电源管理应用，如服务器电源、通信设备电源、UPS不间断电源系统以及新能源汽车的电力控制系统。