时间：2025/8/25 2:00:57
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FDT461N-NL是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，适合在需要高效能和高可靠性的电源管理系统中使用。FDT461N-NL封装在TO-220AB的封装形式中，便于安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极电流（ID）：10A
漏源极电压（VDS）：60V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.035Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：70W
工作温度范围：-55°C至175°C
FDT461N-NL具有多项显著的技术特性，首先，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高电源转换效率，这对于高频率开关应用尤为重要。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使得在相同尺寸下能够实现更高的电流密度和更低的导通损耗。此外，FDT461N-NL的封装形式为TO-220AB，这种封装设计具有良好的散热性能，确保了在高功率应用中的稳定性和可靠性。
该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持在多种栅极驱动条件下稳定工作，增强了其在不同电路设计中的适应性。其较高的最大漏源极电压（60V）使其适用于多种中等电压的应用场景，如电源管理、电池供电设备和马达控制等。同时，FDT461N-NL的工作温度范围较宽（-55°C至175°C），可以在极端环境条件下保持稳定的性能。此外，该器件还具有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。这些特性共同使得FDT461N-NL成为一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于多种复杂和高要求的电子系统。
FDT461N-NL广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、马达控制电路、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的电源管理模块。由于其高效能和高可靠性的特点，该MOSFET也常用于消费类电子产品、汽车电子系统和通信设备中的功率控制部分。
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