时间：2025/9/14 1:26:59
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BUK9Y22-100E115是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET专为高效率、高功率密度的应用设计，适用于汽车、工业控制以及电源管理等关键系统。BUK9Y22-100E115采用了先进的TrenchMOS技术，提供卓越的导通性能和热稳定性。其主要特点是低导通电阻（RDS(on)），高电流承载能力，以及优异的耐用性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）@25°C：140A
导通电阻（RDS(on)）：1.15mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerSO-10
安装类型：表面贴装
BUK9Y22-100E115 MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻（RDS(on)）为1.15mΩ，这使得该器件在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。该器件采用了NXP先进的TrenchMOS技术，确保了在高温下的稳定运行，同时具备良好的热管理和抗热失效能力。
此外，BUK9Y22-100E115的额定漏极电流在25°C下高达140A，适用于高功率应用场景。其±20V的栅源电压容限，使其在面对电压波动时仍能保持良好的稳定性，避免因过电压导致的损坏。器件的工作温度范围从-55°C到+175°C，展现出优异的环境适应能力，适用于极端温度条件下的应用。
该MOSFET采用PowerSO-10封装，支持表面贴装工艺，适用于自动化生产，提高了组装效率。其封装设计也优化了散热性能，有助于降低系统温度，提高整体可靠性。BUK9Y22-100E115广泛应用于汽车电子、DC-DC转换器、电机控制、电源开关以及高功率负载管理等关键领域。
BUK9Y22-100E115 MOSFET因其高电流能力和低导通电阻，广泛应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）和DC-DC转换器。此外，它也适用于工业自动化控制、高功率电机驱动、太阳能逆变器、服务器电源和电信设备中的电源管理模块。该器件在需要高效率、高可靠性的应用场景中表现尤为突出。
SiSS140DN, BSC010N04LS5, IPB013N04N, FDS4410A, STP150N8F2AG
