时间：2025/8/28 4:52:58
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PQ1CG3032FZ 是一款由Rohm（罗姆）公司制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理、DC/DC转换器、电机控制和各种高电流开关应用。该器件采用高性能的沟槽式栅极结构，具有低导通电阻和高效率的特性，适用于中高功率的电子系统。PQ1CG3032FZ采用热效率优化的封装设计，能够在高负载条件下保持稳定性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：32A
导通电阻(Rds(on))：8.5mΩ（典型值）
封装形式：DFN2020-BD3
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
功率耗散(Pd)：80W
栅极电荷(Qg)：26nC
输入电容(Ciss)：1200pF
PQ1CG3032FZ MOSFET采用了先进的沟槽式栅极技术，使得其导通电阻极低，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。这种低Rds(on)特性在大电流应用中尤为重要，例如在同步整流、电池供电系统和负载开关中。
此外，该器件采用了DFN2020-BD3封装，具有良好的热管理性能，可以在高电流工作条件下保持较低的温升。该封装还支持双面散热，进一步提高了热效率。
器件具有高栅极稳定性，能够承受高达±20V的栅源电压，这使得其在高噪声环境中依然可以稳定运行，防止误触发或损坏。
同时，PQ1CG3032FZ具有快速开关能力，栅极电荷较低，使得其在高频开关应用中表现出色，有助于减少开关损耗，提高系统效率。
由于其高可靠性和优异的电气性能，该MOSFET适用于各种严苛的工业和汽车电子应用。
PQ1CG3032FZ 主要应用于DC/DC转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、服务器电源、工业控制系统以及汽车电子设备等高效率、高功率密度的场景。
SiSS130DN-T1-GE3, FDS4410A, IPW65R045CFD7, NVTFS5C428NWKFT1G
