CXK581000AM-70是一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,由Cypress Semiconductor制造。这款SRAM芯片具有高速访问时间和低功耗的特点,适用于需要高性能和可靠性的电子系统。它广泛用于网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统中。
容量:128K x 8位
访问时间:70ns
电源电压:5V
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
数据保持电压:3V
输入/输出类型:TTL兼容
最大工作电流:120mA
CXK581000AM-70 SRAM芯片具有多项先进的性能特性。首先,其高速访问时间为70纳秒,使得该芯片适用于对响应时间要求较高的应用场合。低功耗设计在待机模式下可将电流降至微安级别,有效延长了电池供电设备的使用寿命。
此外,该芯片支持TTL电平输入,使其与多种逻辑电路兼容,并具备数据保持功能,在低电压状态下仍能保持存储数据不丢失。芯片的工业级温度范围确保其在严苛环境下依然稳定运行。
TSOP封装形式不仅减小了整体尺寸,还提高了抗干扰能力,适用于高密度电路设计。其标准的8位数据总线接口也简化了系统集成的复杂度。
CXK581000AM-70广泛应用于网络路由器和交换机中的数据缓存、通信设备的协议处理存储器、工业控制系统的高速缓存以及嵌入式系统的临时数据存储。此外,该芯片还适用于测试设备、医疗仪器和航空航天系统等对可靠性和稳定性有高要求的领域。
CY62148EVLL-70E、AS7C31026A-70BCTR、CY62148EALL-70