时间：2024/4/8 16:34:04
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STM32L433VCT6TR采用高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC核心的超低功耗微控制器，工作频率高达80 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元(FPU)单精度，支持所有Arm?单精度数据处理指令和数据类型。它还实现了一整套DSP指令和一个增强应用程序安全性的内存保护单元(MPU)。STM32L433VCT6TR嵌入了高速存储器(高达256 KB的闪存，64 KB的SRAM)、Quad SPI闪存接口(可用于所有封装)以及连接到两条APB总线、两条AHB总线和32位多AHB总线矩阵的大量增强型I/O和外围设备。=STM32L433VCT6TR为嵌入式闪存和SRAM嵌入了几种保护机制：读出保护、写入保护、专有代码读出保护和防火墙。
STM32L433VCT6TR提供一个快速12位ADC(5 Msps)、两个比较器、一个运算放大器、两个DAC通道、一个内部电压参考缓冲器、一个低功耗RTC、一个通用32位定时器、一个专用于电机控制的16位PWM定时器、四个通用16位定时器和两个16位低功耗定时器。 此外，最多可提供21个电容感测通道。这些设备还嵌入了集成的LCD驱动器8x40或4x44，带有内部升压转换器。它们还具有标准和高级通信接口，即三个I2C、三个SPI、三个USART和一个低功耗UART、一个SAI、一个SDMMC、一个CAN、一个USB全速无晶体设备、一个SWPMI(单线协议主接口)。
FlexPowerControl超低功耗
—1.71 V ~ 3.6 V电源
- -40°C至85/105/125°C温度范围
—200na VBAT模式:提供RTC和32x32位备份寄存器
- 8na关机模式(5个唤醒引脚)
- 28na待机模式(5个唤醒引脚)
—280na带RTC待机模式
- 1.0 μ A停止2模式，1.28 μ A与RTC
- 84 μ A/MHz运行模式(LDO模式)
- 36 μA/MHz运行模式(@3.3 V SMPS模式)
-批量采集模式(BAM)
-从停止模式唤醒4μs
—Brown out reset (BOR)
-互连矩阵
核心:Arm32位Cortex-M4 CPU与FPU，
自适应实时加速器(ART
加速器)允许0等待状态执行
从闪存，频率高达80兆赫，
MPU, 100DMIPS和DSP指令
性能基准
- 1.25 DMIPS/MHz (Drystone 2.1)
- 273.55 CoreMark(3.42 CoreMark/MHz @80 MHz)
能源基准
- 347 ULPMarkCP评分
- 121 ULPMarkPP评分
时钟源
- 4至48 MHz晶体振荡器
- 32 kHz晶体振荡器用于RTC (LSE)
-内部16mhz工厂修剪RC(±1%)
-内部低功率32 kHz RC(±5%)
-内部多速100 kHz至48 MHz
振荡器，LSE自动调整(优于±0.25%精度)
-内部48兆赫时钟恢复
- 2个锁相环用于系统时钟，USB，音频，ADC
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 100-LQFP（14x14） | 包装 | 圆盘 |
| 核心处理器 | ARM Cortex-M4 | 内核规格 | 32-位 |
| 速度 | 80MHz | 连接能力 | CANbus，I2C，IrDA，LINbus，MMC/SD，QSPI，SAI，SPI，SWPMI，UART/USART，USB |
| 外设 | 欠压检测/复位，DMA，LCD，PWM，WDT | I/O数 | 83 |
| 程序存储容量 | 256KB（256K x 8） | 程序存储器类型 | 闪存 |
| EEPROM容量 | - | RAM大小 | 64K x 8 |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V | 数据转换器 | A/D 16x12b；D/A 2x12b |
| 振荡器类型 | 内部 | 工作温度 | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | STM32L433 |
| HTSUS | 8542.31.0001 | 产品应用 | 超低功耗MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | ECCN | 3A991A2 |
| RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
STM32L433VCT6TR原理图
STM32L433VCT6TR引脚图
STM32L433VCT6TR封装
STM32L433VCT6TR丝印
STM32L433VCT6TR料号解释
