时间：2025/5/28 17:10:38
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STS2DNF30L是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用PDFN33封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和其他功率管理应用。
该芯片的设计注重提高系统能效并降低功耗，在电池供电设备以及空间受限的应用场景中表现尤为突出。
型号：STS2DNF30L
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻）：1.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：14A
Vgs（栅源电压）：±20V
Qg（总栅极电荷）：9nC
EAS（雪崩能量）：245mJ
封装形式：PDFN33（3.3mm x 3.3mm）
STS2DNF30L具有非常低的导通电阻Rds(on)，能够显著减少传导损耗，并且其紧凑的PDFN33封装非常适合于便携式和小型化设计。
此外，该器件还具备出色的热性能，可有效提升系统的散热能力。它支持快速开关操作，这使得它在高频工作条件下依然能够保持较高的效率。
同时，STS2DNF30L符合RoHS标准，确保了环保要求的满足。其高可靠性与稳定性也使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
STS2DNF30L广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的高端或低端开关。
3. 消费类电子产品中的负载开关控制。
4. 电池管理系统中的充放电路径管理。
5. 小型电机驱动和逆变器电路。
6. 便携式设备如智能手机和平板电脑中的电源管理单元。
STP14NF30L
IRF7832
AO3400
