FDS6990AS-NL 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造,具有低导通电阻和高效率的特点,适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其封装形式为 SO-8,能够提供出色的热性能和电气性能。
这款 MOSFET 的设计目标是满足消费电子、工业设备和通信系统中对高效能和小体积解决方案的需求。通过优化的芯片设计,FDS6990AS-NL 在高频工作条件下也能保持较低的功耗和较高的可靠性。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:37A
导通电阻:1.8mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:45nC(典型值)
反向恢复时间:26ns(典型值)
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
FDS6990AS-NL 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达 37A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度,得益于低栅极电荷和短反向恢复时间。
4. 增强的热稳定性,确保在高功率密度应用中的长期可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代绿色设计需求。
6. 紧凑的 SO-8 封装,节省 PCB 空间同时提供良好的散热性能。
FDS6990AS-NL 广泛应用于各种需要高效功率转换和开关的场景,包括但不限于:
1. 开关模式电源 (SMPS),如笔记本适配器和台式机电源。
2. DC-DC 转换器,用于降压或升压电路。
3. 电机驱动,例如无刷直流电机 (BLDC) 控制。
4. 负载开关,实现快速可靠的负载切换。
5. 电池管理系统 (BMS),用于保护和控制锂电池组。
6. 通信电源,支持基站和网络设备的供电需求。
FDP5800, IRF7775PBF, AO3400A