类型：可控硅模块
　　最大额定电流（IT(RMS)）：55A
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1200V
　　最大通态平均电流（IT(AV)）：55A
　　门极触发电流（IGT）：通常为50mA至100mA
　　门极触发电压（VGT）：通常为1.5V至3.5V
　　通态压降（VT）：约1.7V（典型值）
　　工作温度范围：-40°C至+125°C
　　存储温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式（DIP）或螺栓式封装
　　散热方式：散热片或强制风冷

SKT55/12D的核心特性之一是其高电压和大电流处理能力，适用于多种高功率应用。该模块的最大重复峰值反向电压（VRRM）为1200V，使其能够在中高压环境中稳定工作。其最大额定电流为55A，能够承受较大的负载电流，适用于大功率电机控制、电源转换和工业加热设备。
　　SKT55/12D的门极触发电流（IGT）较低，通常在50mA至100mA之间，使其易于通过控制电路触发导通。门极触发电压（VGT）也保持在较低水平，通常在1.5V至3.5V之间，确保可控硅的可靠触发，同时减少控制电路的功耗。
　　此外，该模块的通态压降（VT）较低，典型值约为1.7V，减少了导通时的功率损耗，提高了整体系统的效率。其封装结构设计优化了散热性能，允许在高温环境下工作，同时具备良好的绝缘性能和机械强度，以保护内部芯片免受外部环境影响。
　　SKT55/12D的另一个显著特点是其良好的热稳定性，能够在-40°C至+125°C的工作温度范围内保持稳定性能，适合在工业现场的极端温度条件下使用。

SKT55/12D常用于需要高功率控制和调节的工业系统中，如电机控制、电炉和加热设备的电源调节、电力机车和轨道交通系统的牵引控制、交流电源开关以及变频器和逆变器等电力电子设备。此外，该模块也广泛应用于自动化生产线、电焊机、UPS不间断电源系统和高功率LED照明控制系统中。

SKT55/12D的替代型号包括SKT55/16D（1600V耐压）和SKT55/10D（1000V耐压），以及类似规格的可控硅模块，如T1555B、BTA55-1200B等。具体替代型号需根据实际电路需求和工作条件选择。