型号：CM200DU-12H
　　类型：IGBT模块（双单元半桥）
　　集电极-发射极电压Vce(max)：1200V
　　集电极电流Ic(Tc=25°C)：200A
　　集电极电流Ic(Tc=80°C)：130A
　　饱和压降Vce(sat)@25°C：1.75V
　　开关时间-开通延迟td(on)：0.4μs
　　开关时间-上升时间tr：0.6μs
　　开关时间-关断延迟td(off)：1.8μs
　　开关时间-下降时间tf：0.9μs
　　反向恢复时间trr：0.35μs
　　热阻Rth(j-c)：0.15°C/W
　　工作结温范围Tj：-40°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　隔离电压Visol：2500VAC/1min
　　封装类型：S-type module
　　内置NTC：有

CM200DU-12H采用了三菱电机先进的第六代IGBT芯片技术，其核心基于沟槽栅与场截止层（Trench-Gate Field-Stop）结构，这种设计显著降低了载流子复合损失，同时优化了电场分布，从而实现了更低的导通压降和更小的开关损耗。在实际应用中，这意味着更高的能效和更低的温升，有助于减小散热系统体积并提升整体功率密度。该模块的开关速度经过精心调校，在保证快速响应的同时避免了因dV/dt过高引发的电磁干扰问题，提升了系统的电磁兼容性（EMC）。
　　模块内部集成的快速恢复二极管采用超快软恢复特性设计，反向恢复电荷Qrr和反向恢复电流Irr均得到有效抑制，减少了换流过程中的能量损耗和电压尖峰，提高了电路的可靠性。此外，CM200DU-12H具备优异的短路耐受能力，典型值可达10μs以上，能够在瞬态故障条件下提供足够的保护时间，配合外部驱动电路可实现可靠的短路保护机制。模块的电气绝缘性能优越，隔离电压高达2500VAC，满足工业级安全标准，适用于各种严苛环境下的高压应用。
　　该器件还具备良好的热循环和功率循环能力，材料选择和封装工艺确保了长期运行中的稳定性和寿命。其金属底板设计不仅增强了散热能力，也便于通过螺丝固定到散热器上，实现高效的热管理。内置的负温度系数（NTC）热敏电阻位于IGBT芯片附近，能够准确反映结温变化，为控制系统提供实时温度反馈，支持动态功率调节和过温保护策略。整体而言，CM200DU-12H在性能、可靠性与集成度之间达到了良好平衡，是中高功率变频器和电源系统中的理想选择。

CM200DU-12H广泛应用于需要高效、高可靠性的电力转换系统中。在工业电机驱动领域，它常用于通用变频器和伺服驱动器中，作为主逆变桥的核心开关元件，实现对交流电机的精确调速控制。由于其高电流能力和良好的热稳定性，特别适合大功率风机、水泵、压缩机等节能控制场合。在不间断电源（UPS）系统中，CM200DU-12H被用作DC-AC逆变器模块，将蓄电池直流电高效转换为纯净正弦波交流电，保障关键负载的持续供电。
　　在新能源领域，该模块也可用于太阳能逆变器和储能变流器（PCS）中，尤其是在集中式或组串式逆变器的中间功率等级设计中表现优异。此外，CM200DU-12H在感应加热设备如中频炉、电磁炉和金属热处理装置中也有广泛应用，其快速开关能力和低损耗特性有助于提升加热效率和控制精度。焊接设备如逆变焊机同样依赖此类高功率IGBT模块来实现高频逆变和精确电流控制。
　　由于其半桥结构设计，CM200DU-12H还可用于有源前端（AFE）整流器、有源滤波器（APF）和动态电压恢复器（DVR）等高端电能质量治理设备中，帮助改善电网谐波、电压波动等问题。总体来看，该模块适用于所有要求高效率、高可靠性和紧凑设计的中高功率电力电子系统，尤其在需要长期连续运行的工业环境中表现出色。

CM200DY-12H
　　2MBI200U4B-120
　　FF200R12KS4
　　SKM200GB12T4