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STN1NF10 发布时间 时间:2025/6/28 23:23:03 查看 阅读:5

STN1NF10 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的肖特基二极管,具有低正向压降和快速恢复时间的特性。它广泛应用于需要高效整流和低功耗的电路中,如开关电源、功率转换器以及续流二极管等场景。该器件采用TO-220封装形式,适用于高电流和高电压应用。

参数

最大重复峰值反向电压:100V
  最大平均整流电流:1A
  最大正向电压(IF=1A):0.57V
  最大反向恢复时间:40ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  存储温度范围:-65℃至+175℃
  热阻(结到外壳):35°C/W
  封装形式:TO-220

特性

STN1NF10 的主要特性包括低正向压降,从而减少功耗并提高效率;具备快速反向恢复时间,适合高频应用;其高浪涌电流能力确保了在瞬态条件下的可靠性;同时,该器件的工作结温范围宽广,能够在恶劣环境下稳定运行。
  此外,STN1NF10 还采用了成熟的肖特基技术,提供了卓越的电气性能和长期可靠性。由于其出色的热管理和机械设计,该二极管非常适合用于高功率密度的应用场景。

应用

STN1NF10 常见的应用领域包括但不限于开关模式电源(SMPS)中的整流器、DC-DC 转换器中的续流二极管、太阳能逆变器中的箝位保护、电机驱动中的自由轮二极管以及各种消费类电子设备中的电源管理电路。
  它的快速恢复特性和低损耗特点使其成为高频电力电子设计的理想选择。

替代型号

STM1NF10
  MUR1100
  MBR10100

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STN1NF10参数

  • 其它有关文件STN1NF10 View All Specifications
  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C800 毫欧 @ 500mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds105pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)