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FDS6984AS 发布时间 时间:2025/5/23 20:19:01 查看 阅读:8

FDS6984AS是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用先进的半导体制造工艺设计。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛适用于各类电源管理应用中。该器件能够提供高效的功率转换,在各种负载条件下保持较低的功耗。其封装形式为TO-252(DPAK),便于散热和系统集成。
  该器件适合于需要高效能与可靠性的应用环境,如DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动以及负载开关等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:38nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃至150℃
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

FDS6984AS具备超低导通电阻,能够在大电流应用场景下显著降低功耗,提升整体效率。
  此外,该器件具有极低的栅极电荷和输出电容,可实现更快的开关速度,从而减少开关损耗。
  其出色的热稳定性确保了在高温或恶劣环境下的长期可靠性。
  FDS6984AS还采用了优化的内部结构设计,提高了抗静电能力(ESD保护),进一步增强了器件的鲁棒性。
  该产品符合RoHS标准,支持环保要求。

应用

该器件主要应用于高性能电源管理系统,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换模块。
  2. 同步整流电路以提高效率。
  3. 各类便携式设备中的负载开关功能。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动控制。
  5. 汽车电子系统的电源管理单元。
  6. 通信设备中的高效电源转换方案。

替代型号

FDS6984, IRF7776, SI4463DY

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FDS6984AS参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®, SyncFET™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.5A,8.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds420pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS6984AS-NDFDS6984ASFSTR