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SP15U100L 发布时间 时间:2025/7/29 17:52:18 查看 阅读:8

SP15U100L 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型晶体管。该器件适用于高功率和高频开关应用,具有较低的导通电阻(Rds(on))以及良好的热稳定性,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等工业和消费类电子产品。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):80mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  最大功耗(Ptot):125W
  封装形式:TO-220
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C

特性

SP15U100L 采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供了极低的导通电阻,从而降低了导通状态下的功率损耗,提高了系统效率。该器件的封装形式为TO-220,具备良好的散热性能,适合高功率密度应用。此外,其栅极驱动电压范围较宽,适用于多种驱动电路设计,降低了外围电路的复杂性。
  该MOSFET具有较强的雪崩能量承受能力,能够有效应对电压尖峰和过载情况,提高了系统的可靠性。同时,其快速开关特性使其适用于高频开关电源和电机控制应用,减少了开关损耗。此外,SP15U100L 还具有良好的热稳定性和抗短路能力,适用于严苛的工作环境。

应用

SP15U100L 广泛应用于各种电力电子系统中,如DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动电路、电池管理系统(BMS)、工业自动化控制以及消费类电子产品中的功率开关。此外,该器件也常用于汽车电子系统中的电源管理模块和电机控制电路。

替代型号

IRF1405, FDP15N10, STP15NF10