FDS4435BZ-NL 时间：2025/4/28 9:56:09 阅读：3

FDS4435BZ-NL 是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效能的开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用中。
　　由于其优异的性能参数，FDS4435BZ-NL在各种消费类电子产品、通信设备及工业控制领域中被广泛使用。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：17A
　　导通电阻：18mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　栅极电荷：13nC
　　开关时间：ton=11ns，toff=9ns
　　结温范围：-55℃至+175℃

特性

FDS4435BZ-NL 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频开关应用，降低开关损耗。
　　3. 较高的雪崩击穿能量能力，增强了器件的耐用性和可靠性。
　　4. 小巧的SO-8封装形式，便于PCB布局和散热设计。
　　5. 优越的热稳定性和电气性能，适用于多种恶劣工作环境。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。

应用

该MOSFET芯片广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS），如笔记本电脑适配器和LED驱动器。
　　2. 各种DC-DC转换器中的同步整流电路。
　　3. 消费电子设备中的负载开关与保护电路。
　　4. 电机驱动电路，例如步进电机和无刷直流电机控制。
　　5. 通信设备中的功率管理模块。
　　6. 工业自动化控制系统中的信号切换与功率调节。