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RF15N0R9A500CT 发布时间 时间:2025/7/4 3:53:00 查看 阅读:9

RF15N0R9A500CT 是 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高频和高效率应用而设计,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。其卓越的导通电阻和低栅极电荷使其在高频条件下表现出色。
  RF15N0R9A500CT 采用先进的制程技术制造,具备出色的热性能和电气性能,能够有效降低功耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:4.5mΩ
  栅极电荷:18nC
  总电容:220pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻 (4.5mΩ),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 低栅极电荷 (18nC) 支持高频开关操作,适合高速应用。
  3. 高额定电流 (30A) 和高耐压能力 (60V),确保在各种负载条件下的稳定性。
  4. 宽广的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),适用于极端环境下的应用。
  5. 封装形式 TO-247 提供良好的散热性能,便于集成到高功率密度系统中。

应用

RF15N0R9A500CT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 的主开关和同步整流。
  2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率转换模块。
  6. 高效功率管理系统的构建,如服务器和通信设备中的电源管理部分。

替代型号

RF15N0R9A500KT, RF15N0R9A500JT

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RF15N0R9A500CT参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.14614卷带(TR)
  • 系列RF
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.9 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗,超低 ESR
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 大小 / 尺寸0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"(0.55mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-