时间：2025/9/2 10:06:49
阅读：31
H9CKNNN8GTMPLR-NUH 是由SK海力士（SK Hynix）生产的一款高密度、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款芯片采用先进的制造工艺，专为高性能计算、移动设备和嵌入式系统设计，以满足现代电子设备对内存容量和能效的高要求。
容量：8Gb
类型：DRAM
封装类型：FBGA
数据速率：1600Mbps
工作电压：1.8V
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
组织结构：x16
H9CKNNN8GTMPLR-NUH 的主要特性包括高密度存储、低功耗设计以及出色的稳定性和可靠性。这款DRAM芯片采用先进的工艺技术，能够在保持高性能的同时降低功耗，非常适合用于移动设备和嵌入式系统等对功耗敏感的应用场景。此外，它还具备良好的热管理和数据保持能力，能够在各种工作环境下稳定运行。
该芯片的x16架构设计使其能够提供更高的数据带宽，从而提升系统的整体性能。同时，其FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装技术不仅减小了芯片的体积，还提高了电气性能和热传导效率。这款DRAM芯片的工作电压为1.8V，能够在保证高性能的同时有效降低能耗，延长设备的电池寿命。
在可靠性方面，H9CKNNN8GTMPLR-NUH符合工业级温度范围要求（-40°C至+85°C），能够在极端温度条件下稳定运行。这使得它适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子、工业自动化和通信设备等。此外，该芯片还通过了多项国际质量认证，确保其在各种应用场景中的可靠性和耐用性。
H9CKNNN8GTMPLR-NUH 适用于多种高性能计算和嵌入式应用场景，包括智能手机、平板电脑、车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）、工业计算机、网络设备和消费类电子产品。其高密度和低功耗特性使其成为需要大容量内存和长续航时间设备的理想选择。
H9CKNNN8GTMPLR-NUE, H9CKNNN8GTMPLR-NUB, H9CKNNN8GTMPLR-NUD
