时间：2025/4/30 16:47:49
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SI9424DY-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TrenchFET 第三代技术，具有低导通电阻和出色的开关性能，适合用于高效率电源转换、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。
该 MOSFET 的封装形式为 Hot FET? SOIC-8 封装，其底部带有焊盘以提高散热性能，同时具备更小的占位面积，非常适合空间受限的应用场景。
最大漏源电压（Vds）：60 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：4.2 A
导通电阻（Rds(on)）：5.5 mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：7 nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SI9424DY-T1-E3 的主要特点是采用了 Vishay 的 TrenchFET 第三代技术，这种技术大幅降低了导通电阻，从而减少了传导损耗，提高了整体系统效率。
此外，该器件具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，进而提升高频应用中的表现。
其小型化封装设计结合高性能特点，使得 SI9424DY-T1-E3 成为消费电子、工业设备及汽车领域中紧凑型设计的理想选择。
另外，它支持高温运行，能够适应严苛的工作环境。
该 MOSFET 主要应用于需要高效功率转换的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
2. DC-DC 转换器
3. 电池供电设备中的负载开关
4. 电机驱动与控制
5. 消费类电子产品的电源管理
6. 工业自动化设备中的信号切换
由于其高耐热特性和低导通电阻，它也适用于汽车电子中的某些非关键性功能模块。
SI9419DY, SI9421DY, SI9422DY
