FDN86265P 时间：2025/8/2 8:23:20 阅读：10

FDN86265P是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于功率管理、开关电路和电机控制等应用。该器件采用先进的Trench沟道技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高效率的开关性能。FDN86265P具有较高的电流承载能力和热稳定性，适用于电源转换器、DC-DC变换器以及负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极连续电流（ID）：10A
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS = 4.5V
　　功率耗散（PD）：3.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

特性

FDN86265P MOSFET采用了先进的Trench沟道技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗。其低RDS(on)特性使其在高电流应用中表现出色，减少了发热并提高了系统效率。
　　该器件支持高达10A的漏极连续电流，适用于中高功率的开关控制。此外，FDN86265P具有良好的热稳定性和抗过载能力，在高温环境下仍能保持稳定运行。
　　其栅极驱动电压范围为4.5V至10V，兼容多种常见的驱动电路设计，包括基于微控制器或专用驱动IC的应用。该器件还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高电源转换效率。
　　封装方面，FDN86265P采用PowerPAK SO-8封装，具有良好的热管理性能，同时节省PCB空间，适用于紧凑型设计。该封装也支持SMT（表面贴装技术）工艺，便于自动化生产和高效组装。
　　此外，FDN86265P具有较高的抗静电能力和过热保护特性，提升了其在工业环境中的可靠性和使用寿命。

应用

FDN86265P常用于各种电源管理系统和功率控制电路中。典型应用包括同步整流器、DC-DC降压/升压变换器、电池充电管理电路、电机驱动器、负载开关以及工业自动化设备中的功率开关模块。
　　在电源转换器中，该MOSFET可作为主开关器件，实现高效能的电能转换；在电机控制应用中，它可用于实现H桥驱动，控制电机的正反转及速度调节。
　　此外，FDN86265P也广泛应用于消费类电子产品中的电源管理单元，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统中，用于高效控制电池供电和负载切换。