NDH831N/L86Z 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),主要用于高频率和高功率应用。该器件采用先进的制造工艺,具有良好的热稳定性和电性能,适用于各种电子设备和系统中的开关和放大功能。
类型:NPN双极型晶体管
最大集电极电流:3.0 A
最大集电极-发射极电压:80 V
最大基极电流:0.1 A
最大功耗:2.0 W
过渡频率:100 MHz
封装类型:TO-220
NDH831N/L86Z 晶体管具有多项显著的特性,适用于各种高要求的应用环境。
首先,该器件的最大集电极电流为3.0 A,能够在较大的负载条件下保持稳定的工作状态,适合用于功率放大和高电流开关电路。其次,最大集电极-发射极电压为80 V,使其能够在较高电压环境下可靠运行,同时具备较高的过压保护能力。
该晶体管的封装形式为TO-220,这种封装具有良好的散热性能,能够有效降低工作时的温度,提高器件的可靠性和使用寿命。此外,其最大功耗为2.0 W,确保在较高功率条件下仍能保持良好的热稳定性。
过渡频率为100 MHz,表明该晶体管可以在高频环境下工作,适用于射频(RF)放大和高速开关应用。此外,NDH831N/L86Z 还具有较低的饱和压降(Vce_sat),可以减少功率损耗,提高电路的整体效率。
最后,该器件的制造工艺符合工业标准,具备良好的互换性和稳定性,适合用于批量生产和长期运行的设备中。
NDH831N/L86Z 晶体管广泛应用于多个领域,包括工业控制、电源管理、消费电子和通信设备等。
在工业控制方面,该晶体管可以用于电机驱动、继电器控制和自动化设备中的开关电路。其高电流和高电压特性使其非常适合用于高功率负载的控制。
在电源管理应用中,NDH831N/L86Z 可用于DC-DC转换器、稳压电源和电池充电器等设备,提供高效的功率转换和稳定的输出。
对于消费电子产品,如音频放大器和家用电器,该晶体管可用于信号放大和功率调节,提供清晰的音频输出和可靠的运行性能。
在通信设备中,由于其较高的过渡频率特性,NDH831N/L86Z 可用于射频信号放大和高频开关电路,适用于无线通信和数据传输设备。
TIP31C, BDW93C, NTE2368