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MB81V4265S-60PFTN-G 发布时间 时间:2025/8/9 0:21:28 查看 阅读:44

MB81V4265S-60PFTN-G 是富士通(Fujitsu)公司生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该型号属于快速页面模式DRAM(Fast Page Mode DRAM)的一种,具有较高的数据访问速度和稳定性,广泛应用于工业控制、通信设备、消费电子等领域。该芯片采用TSOP(薄型小外形封装)封装形式,适用于空间受限的高密度电路设计。

参数

类型:DRAM
  容量:256K x 16位(4Mbit)
  电源电压:3.3V
  访问时间:60ns
  封装形式:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:并行
  刷新模式:自动刷新
  时钟频率:无(异步DRAM)

特性

MB81V4265S-60PFTN-G 是一款异步DRAM,不依赖于时钟信号进行数据传输,采用标准的地址和数据总线进行操作,具有广泛的兼容性。
  其60ns的访问时间保证了较高的数据读写速度,适用于对响应时间有较高要求的系统设计。
  该芯片支持自动刷新功能,减少了外部控制的复杂度,提高了系统的稳定性。
  采用3.3V电源供电,具有较低的功耗和良好的电气性能,适用于便携式设备和低功耗应用。
  TSOP封装设计不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,适合高密度PCB布局。
  该芯片的工业级温度范围(-40°C至+85°C)使其能够在严苛的工作环境中稳定运行。

应用

该芯片广泛应用于需要高速存储器支持的工业控制系统、网络通信设备、视频处理模块、测试仪器以及嵌入式系统等场景。其高性能和低功耗特性也适用于消费类电子产品,如智能家电、便携式终端设备等。

替代型号

ISSI IS42S16400F-6T、Micron MT48LC16M2A2B4-6A、Alliance AS4LC16M1A260B2-6TCN

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