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IS6608-0001 发布时间 时间:2025/8/20 20:43:34 查看 阅读:18

IS6608-0001 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI)公司生产的一款高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有高速访问时间和低功耗特性,适用于需要高性能存储器的嵌入式系统和工业控制应用。

参数

容量:8K x 8位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:10ns
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP
  输入/输出接口:CMOS兼容
  功耗:典型值100mA(待机模式下小于10mA)

特性

IS6608-0001 是一款高速异步SRAM芯片,具有出色的性能和可靠性。该芯片的访问时间为10ns,使其适用于需要快速数据访问的应用。芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V,支持多种电源配置,增强了设计的灵活性。
  此外,IS6608-0001 的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级环境。其TSOP封装设计有助于降低功耗并提高散热性能,非常适合嵌入式系统和工业设备使用。
  在功耗方面,IS6608-0001 的典型工作电流为100mA,在待机模式下功耗低于10mA,这使得它在低功耗应用中表现出色。芯片的CMOS兼容接口也使其能够轻松集成到现有的数字系统中。
  IS6608-0001 还具备优异的抗干扰能力和稳定性,确保在复杂电磁环境中仍能保持可靠的工作状态。这些特性使得该芯片广泛应用于通信设备、网络设备、测试仪器和消费电子产品等领域。

应用

IS6608-0001 主要用于需要高速数据存储和低功耗特性的嵌入式系统和工业控制设备。其典型应用包括网络设备、通信模块、测试仪器、图像处理系统以及消费类电子产品中的缓存存储器。

替代型号

IS66WV8M8A7P-104NLI, CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V016S10PFG