型号：RQ5A030APTL
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：5.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：26mΩ @ Vgs=10V, Id=5A
　　导通电阻（Rds(on)）：30mΩ @ Vgs=4.5V, Id=5A
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：440pF @ Vds=15V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SS-Mini (SOT-780A)
　　功率耗散（Pd）：1W
　　极性：增强型
　　配置：单N沟道

RQ5A030APTL采用了ROHM专有的Trench结构MOSFET工艺，这种先进的制造技术显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了功率损耗并提高了整体能效。其低至30mΩ的导通电阻在Vgs=4.5V条件下表现优异，使得该器件能够在低电压驱动环境下依然保持高效的导通状态，特别适用于由3.3V或5V逻辑信号直接控制的应用。该MOSFET具备良好的热稳定性，结合SS-Mini小型封装，在保证高性能的同时实现了极小的占板面积，非常适合高度集成的便携式设备。
　　该器件的栅极阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了与低压逻辑电路的良好兼容性，支持直接由微控制器或其他数字IC进行驱动而无需额外的电平转换电路。输入电容仅为440pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗和快速的开关响应能力，有助于提升系统的动态性能。同时，器件的最大漏源电压为30V，能够安全地处理常见的直流电源轨，如12V或24V系统中的开关控制任务。
　　RQ5A030APTL还具备优良的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，增强了其在瞬态过压和浪涌条件下的可靠性。其工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。此外，该器件通过了AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查阅具体批次数据手册确认），进一步拓展了其在车载电子系统中的适用范围。封装采用无铅设计，符合RoHS和Green标准，支持回流焊工艺，便于自动化生产装配。

RQ5A030APTL广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。在便携式消费类电子产品领域，常用于智能手机和平板电脑中的电池电源管理模块，作为负载开关控制显示屏背光、摄像头模组或无线通信模块的供电通断，以实现节能待机和延长续航时间。在工业控制系统中，可用于传感器电源开关、继电器驱动电路或PLC输出级的小信号切换。
　　此外，该器件也适用于笔记本电脑、USB集线器及移动电源等设备中的过流保护和热插拔控制电路，凭借其低导通电阻和快速响应特性，有效减少能量损失并提高系统安全性。在汽车电子方面，可用于车身控制模块中的灯光控制、车窗升降电机驱动辅助开关或车载信息娱乐系统的电源管理单元。
　　由于其良好的热性能和紧凑封装，RQ5A030APTL还可用于密集布局的PCB设计，例如无人机、智能手表和其他物联网终端设备中的DC-DC转换器同步整流或高端/低端开关配置。其宽泛的工作温度范围使其能在恶劣环境条件下稳定运行，因此也被应用于户外监控设备、智能家居网关以及医疗便携仪器等对可靠性和稳定性要求较高的场合。

RQ5A030ATL
　　DMG2307UW-7
　　FDS6679A
　　AO3400