类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：4.4A（在25°C）
　　导通电阻(Rds(on))：32mΩ（最大值）
　　功率耗散(Pd)：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP-8

GS3481-INTE3Z具备多项优异的电气特性和可靠性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，该MOSFET的导通电阻非常低，典型值为32mΩ，这有助于降低导通损耗，提高能效。低导通电阻还意味着在高电流条件下，器件的温升较低，从而提高系统的稳定性和寿命。
　　其次，该器件的最大漏极电流为4.4A，在25°C的环境温度下能够提供稳定的电流承载能力，适用于需要较高电流输出的应用场景。此外，GS3481-INTE3Z的栅极驱动电压范围较宽，允许使用常见的10V或更低的栅极电压进行驱动，从而简化驱动电路设计。
　　GS3481-INTE3Z采用了SOP-8封装，具有良好的热管理和散热性能。这种封装形式适用于表面贴装工艺，提高了PCB布局的灵活性，并减少了寄生电感的影响。此外，该器件的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，使其能够在极端温度环境下可靠运行。
　　为了提高系统的安全性和可靠性，GS3481-INTE3Z内置了过热保护和短路保护功能。这些特性有助于防止器件在异常工作条件下发生损坏，延长了器件的使用寿命。此外，该MOSFET还具备较高的抗静电能力，能够承受一定水平的静电放电，避免因静电引起的损坏。

GS3481-INTE3Z适用于多种功率电子应用，包括电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动和电池管理系统。在电源管理领域，该器件可用于高效能的同步整流电路，提高电源转换效率并降低能耗。在DC-DC转换器中，GS3481-INTE3Z的低导通电阻和高电流承载能力使其成为理想的开关元件，有助于实现紧凑高效的电源设计。
　　在负载开关应用中，GS3481-INTE3Z可以用于控制电源的通断，提供快速的开关响应和较低的导通损耗。此外，该MOSFET还可用于电机驱动电路，提供稳定的电流输出并减少发热。在电池管理系统中，GS3481-INTE3Z可用于电池充放电控制，确保电池的安全运行并延长电池寿命。
　　由于其优异的电气性能和可靠性，GS3481-INTE3Z也广泛应用于工业自动化设备、智能家电和汽车电子系统。例如，在工业控制设备中，该器件可用于驱动继电器、电磁阀和其他执行器，提供高效的功率控制。在智能家电中，GS3481-INTE3Z可用于控制电机和加热元件，提高能效并减少能耗。在汽车电子系统中，该MOSFET可用于车身控制模块、电动助力转向系统和车载充电器等应用。

Si2302DS-T1-GE3, AO3400A, FDS6680, IRF7404