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GA1206A681JBEBT31G 发布时间 时间:2025/5/21 11:47:20 查看 阅读:3

GA1206A681JBEBT31G 是一款高性能的功率放大器芯片,主要应用于射频通信领域。该芯片采用了先进的半导体制造工艺,能够在高频段提供高增益、低噪声和高线性度的信号放大功能。其设计优化了输出功率与效率之间的平衡,适合用于无线基站、卫星通信和其他需要高效功率放大的应用场景。
  该芯片具有良好的稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。

参数

型号:GA1206A681JBEBT31G
  工作频率范围:1.8 GHz 至 2.2 GHz
  输出功率:40 dBm
  增益:15 dB
  电源电压:5 V
  静态电流:500 mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GA1206A681JBEBT31G 芯片采用创新的电路设计,具备以下特点:
  1. 高输出功率:能够在指定频率范围内提供高达 40 dBm 的输出功率。
  2. 高效率:通过优化电路结构,在确保性能的同时显著提高能源利用率。
  3. 低噪声系数:在高频段表现出优异的低噪声特性,从而提升整体系统性能。
  4. 宽带操作能力:覆盖 1.8 GHz 至 2.2 GHz 的频率范围,满足多种通信标准的需求。
  5. 稳定性强:即使在极端环境条件下也能保持稳定的输出性能。

应用

这款功率放大器芯片适用于多种射频通信场景,包括但不限于:
  1. 无线通信基站:为基站设备提供高效的功率放大功能。
  2. 卫星通信系统:支持高质量的信号传输和接收。
  3. 军用通信设备:满足对可靠性和高性能要求较高的特殊应用场景。
  4. 移动终端设备:如智能手机和平板电脑中的射频模块。
  5. 工业无线数据传输:如物联网设备和远程监控系统中的无线通信组件。

替代型号

GA1206A681JBEBT32G
  GA1207A681JBEBT31G
  PA2206A881JBEBT31G

GA1206A681JBEBT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-