FDN306P-NL 时间：2025/4/29 14:08:14 阅读：3

FDN306P-NL 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小尺寸的 SOT-23 封装形式。该器件适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景，例如负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电设备等。其设计优化了栅极电荷和导通电阻之间的权衡，从而实现高效的功率转换和快速的开关性能。
　　FDN306P-NL 的额定电压为 20V，能够满足大多数低压应用的需求，并且具有较低的导通电阻以减少功率损耗。

参数

最大漏源电压：20V
　　连续漏极电流：1.4A
　　导通电阻（Rds(on)）：150mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
　　栅极阈值电压：1.2V~2.4V
　　总栅极电荷：7nC
　　工作温度范围：-55℃~150℃

特性

1. 小型封装：采用 SOT-23 封装，适合空间受限的设计。
　　2. 低导通电阻：在 Vgs=4.5V 时，导通电阻仅为 150mΩ（典型值），可有效降低功耗。
　　3. 快速开关能力：由于其低栅极电荷，能够实现更快的开关速度，适合高频应用。
　　4. 高温操作能力：支持最高结温达 150℃，能够在恶劣环境下稳定工作。
　　5. 静态功耗低：非常适合便携式设备和电池供电系统。

应用

1. 负载开关：
　　FDN306P-NL 的低导通电阻和小型封装使其成为便携式电子设备中负载开关的理想选择。
　　2. DC-DC 转换器：
　　适用于降压或升压转换器中的功率开关，提供高效的功率传输。
　　3. 电池管理：
　　可用于电池保护电路，确保电池充电和放电的安全性。
　　4. 电机驱动：
　　可以驱动小型直流电机，适用于玩具、风扇等低功率电机控制应用。
　　5. 信号切换：
　　作为信号路径上的开关使用，适用于音频或视频信号的切换。