时间：2025/6/19 15:19:57
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RQG1001UP-TR-E 是一款由罗姆（ROHM）公司生产的N沟道增强型MOSFET，采用USP6B封装形式。这款器件以其低导通电阻和快速开关速度著称，适合应用于各种高效能电源管理场景，如DC-DC转换器、负载开关以及电池保护电路等。其卓越的性能使其成为众多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：2.5A
导通电阻：4mΩ
栅极电荷：7nC
工作温度范围：-55℃ to +150℃
封装形式：USP6B
RQG1001UP-TR-E具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（典型值为4mΩ），有助于降低功率损耗并提升整体效率。
2. 快速开关能力，使得它非常适合高频开关应用。
3. 工作温度范围宽广（-55℃到+150℃），确保在极端环境下的可靠性。
4. 小型化封装（USP6B），节省PCB空间，满足现代电子产品对紧凑设计的需求。
5. 高浪涌耐受能力，能够承受瞬态电流冲击，提高了系统稳定性。
该MOSFET广泛应用于多个领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心开关元件。
3. 负载开关，在便携式设备中用于动态管理功耗。
4. 电池保护电路，防止过充或过放现象。
5. 各类消费电子产品的电源管理系统，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等。
RQG1001UP-TR
