时间：2025/4/29 8:58:04
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NB679GD-Z 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效率功率开关器件，适用于高频和高功率密度的应用场景。该器件采用先进的 GaN 工艺制造，具备低导压特性，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、充电器以及其他需要高效能功率转换的电子设备。
与传统硅基 MOSFET 相比，NB679GD-Z 提供了更低的寄生电容和更高的工作频率，从而可以显著减小无源元件的尺寸并提高整体系统的效率。
类型：增强型 GaN 功率晶体管
封装：TO-252 (DPAK)
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻：100mΩ（典型值，@ Vgs=6V）
栅极阈值电压：1.5V 至 3.5V
开关频率范围：高达 5MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
NB679GD-Z 的主要特性包括以下几点：
1. 高效功率转换：得益于其低导通电阻和快速开关速度，NB679GD-Z 在高频应用中表现出卓越的效率。
2. 小尺寸设计：由于支持更高开关频率，使用 NB679GD-Z 的电路可以采用更小的磁性元件和滤波电容。
3. 热性能优异：该器件能够在较高的结温下稳定工作，适用于高功率密度场合。
4. 强鲁棒性：内置过流保护功能，增强了系统在异常情况下的可靠性。
5. 易于驱动：兼容标准逻辑电平输入，简化了控制电路的设计。
NB679GD-Z 广泛应用于各种电力电子领域，例如：
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. USB-PD 充电器
4. 无线充电发射端
5. 电机驱动器
6. LED 驱动器
7. 可再生能源逆变器（如太阳能微型逆变器）
NB679GD-A, NB679GD-B
