KZE100VB821M18X40LL是一款高性能、低噪声、高稳定性的电压基准芯片,广泛应用于精密模拟电路、数据转换系统、工业控制和测试设备等领域。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有高精度和低温度漂移的特性,确保在各种工作条件下提供稳定的参考电压。
类型:电压基准芯片
输出电压:8.21V
精度:±0.1%
温度系数:5ppm/℃
工作温度范围:-40℃至+125℃
电源电压范围:10V至100V
输出电流:最大10mA
封装形式:LL(详细封装规格需参考数据手册)
KZE100VB821M18X40LL具备出色的温度稳定性和长期可靠性,适用于高精度测量和控制系统。其宽电源电压范围支持多种应用场景,而低输出噪声和高负载调整率进一步提升了系统性能。该器件还集成了过热保护和短路保护功能,增强了系统的鲁棒性。
此外,KZE100VB821M18X40LL在设计上优化了动态响应,能够在负载变化时快速恢复稳定输出。其CMOS工艺确保了低功耗运行,适合对能效要求较高的设备。由于其优异的电气特性,该芯片广泛应用于ADC/DAC参考电压源、传感器信号调理、电源管理等领域。
该芯片常用于高精度数据采集系统、工业自动化控制、测试与测量仪器、通信设备以及精密电源管理电路中。其稳定性和可靠性使其成为要求严苛应用场景的理想选择。
LT1021-8.2, REF198-8.2