时间：2025/7/1 7:08:23
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FDD6680AS-UDU是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特性，适合要求高效能和小尺寸设计的应用。其封装形式为UDU，能够有效提升散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：14A
导通电阻：3电荷：20nC
开关时间：典型值ton=11ns，toff=9ns
工作结温范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用。
3. 小型化封装，节省PCB空间。
4. 高电流处理能力，适用于大功率场景。
5. 优异的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器的高端和低端开关。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 电机驱动电路中的功率级控制。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换和电源管理。
FDD6680AS, FDMC6680, IRF6680
