时间：2025/4/25 16:18:20
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500R14N180JV4T 是一款高压功率 MOSFET，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺设计，具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度等特性。它适用于各种高电压应用场景，例如开关电源、电机驱动、逆变器以及 DC-DC 转换器等。其封装形式为 TO-247，能够有效提升散热性能，确保在高功率条件下稳定运行。
这款芯片以其优异的电气性能和可靠性著称，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的输出特性。
型号：500R14N180JV4T
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1800 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
漏极电流（Id）：500 mA
导通电阻（Rds(on)）：14 Ω（典型值，在 Vgs=15V 时）
功耗：6 W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：TO-247
1. 高击穿电压（1800V），适合高压应用环境。
2. 极低的导通电阻（14Ω 典型值），可显著降低传导损耗。
3. 快速开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 增强的热稳定性，能够承受较高的结温（最高可达 175°C）。
5. 小信号控制能力较强，易于与逻辑电路接口。
6. 提供出色的耐用雪崩能力，增强系统可靠性。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
8. 广泛的工作温度范围使其适应多种恶劣环境。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 电机驱动电路，尤其是需要高电压控制的应用。
3. 工业逆变器和变频器。
4. 高压 DC-DC 转换器。
5. 太阳能微逆变器和其他新能源相关设备。
6. 电磁阀驱动和继电器控制。
7. 高压负载切换和保护电路。
8. 等离子体发生器以及其他特种电源装置。
IXTH50N180P
STW19NM180
IRG4PH50KD
FDP14N18
