时间：2025/8/21 15:20:55
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Si82396AB-IS1 是 Silicon Labs 推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片，广泛应用于工业电机控制、太阳能逆变器、电动汽车充电系统等高电压、高频率功率转换应用中。该芯片基于 Silicon Labs 独有的数字隔离技术（Silicon Isolation Technology），提供了出色的抗噪能力和高可靠性。Si82396AB-IS1 支持高达 5A 的峰值输出电流，适合驱动 IGBT 和 SiC（碳化硅）等功率器件。
电源电压（VDD1/VDD2）: 2.5V 至 6.5V
输出峰值电流: 5A（拉电流/灌电流）
输入信号频率: 最高 2MHz
传播延迟: 最大 75ns
上升/下降时间: 最大 15ns
工作温度范围: -40°C 至 +125°C
隔离耐压: 5kVRMS（符合 UL、CSA、IEC 60747-17 标准）
安全认证: UL1577、IEC 62368-1、IEC 61010
输入逻辑类型: 兼容 CMOS/TTL
输出通道配置: 双通道独立驱动
封装类型: 16引脚 SOIC（宽体）
Si82396AB-IS1 具备多项先进特性，确保其在高压和高频率应用场景中的稳定性和性能。首先，该器件采用 Silicon Labs 的专利数字隔离技术，提供高达 5kVRMS 的增强型隔离能力，确保系统在高噪声和高压环境下依然具备高可靠性。其次，其双通道结构设计支持独立控制，非常适合半桥、全桥拓扑结构中的 IGBT 或 MOSFET 驱动应用。
该器件的输入端支持 2.5V 至 6.5V 宽电压范围，兼容多种控制芯片（如 DSP、FPGA、MCU）的输出逻辑电平，提高了系统设计的灵活性。输出端具备高达 5A 的峰值电流驱动能力，可有效驱动高栅极电荷功率器件，如 SiC 和 GaN 晶体管，提升系统的开关效率。
在动态性能方面，Si82396AB-IS1 提供快速的传播延迟（最大 75ns）和极短的上升/下降时间（最大 15ns），适用于高频开关应用，有助于减小磁性元件的体积并提升系统效率。同时，该芯片具备欠压锁定（UVLO）保护功能，防止在电源电压不足时导致功率器件工作异常，提高系统的稳定性与安全性。
此外，Si82396AB-IS1 采用 16 引脚宽体 SOIC 封装，具有良好的热性能和空间布局适应性，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +125°C），可在各种恶劣环境下稳定运行。
Si82396AB-IS1 主要应用于需要高可靠性和高性能的功率电子系统中。例如，在工业电机驱动器和伺服系统中，该芯片用于驱动 IGBT 或 SiC 功率模块，实现高效率的直流-交流转换；在太阳能逆变器中，Si82396AB-IS1 能够为 H 桥结构中的开关器件提供稳定可靠的驱动信号，从而提高逆变效率并延长系统寿命。
此外，该芯片也适用于电动汽车（EV）的车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器中，为 SiC 或 GaN 功率器件提供高速驱动，提升能量转换效率。在储能系统、UPS（不间断电源）、工业电源和智能电网设备中，Si82396AB-IS1 同样发挥着关键作用，为高电压、高频率开关提供安全、稳定的隔离驱动方案。
由于其高集成度、宽电压范围和优异的动态性能，Si82396AB-IS1 也广泛应用于需要高隔离等级的医疗设备、测试设备和工业自动化控制系统中。
ADuM4223-2BRIZ, HCPL-J312, NCD57001DR2G, UCC21520DWPR
