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NTUD3170NZT5G 发布时间 时间:2023/4/14 11:57:36 查看 阅读:365

分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品

家庭:MOSFETs - 阵列

FET 型:2 个 N 沟道(双)

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.5 欧姆 @ 100mA, 4.5V

漏极至源极电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:220mA

Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs:-

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :12.5pF @ 15V

功率 - 最大:125mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:SOT-963

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:SOT-963

资料

厂商
ON Semiconductor

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NTUD3170NZT5G参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C220mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds12.5pF @ 15V
  • 功率 - 最大125mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-963
  • 供应商设备封装SOT-963
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTUD3170NZT5G-NDNTUD3170NZT5GOSTR