时间：2025/5/13 13:17:00
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FDC637BNZ是一款N沟道增强型MOSFET，采用SOT-23封装形式。该器件适用于多种低功率应用场合，具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性的特点。由于其小尺寸和高效性能，FDC637BNZ在便携式电子设备、电源管理电路以及信号切换等场景中表现优异。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.4A
导通电阻（Rds(on)）：0.5Ω（典型值，Vgs=10V时）
总功耗：410mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
FDC637BNZ具备以下显著特性：
1. 低导通电阻：有助于减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关能力：适合高频应用场合。
3. 小型化设计：SOT-23封装使其非常适合空间受限的设计。
4. 高可靠性：经过严格测试以确保长期稳定运行。
5. 宽工作温度范围：适应各种恶劣环境条件下的使用需求。
FDC637BNZ广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的开关元件。
3. 负载开关和电池保护电路。
4. 电机驱动和音频信号切换。
5. 各种便携式设备如智能手机、平板电脑及可穿戴设备的电源管理部分。
FDS6670AZ
FDMC6670
AO3400A
