MRF607 时间：2025/9/3 16:42:19 阅读：22

MRF607 是一款由Motorola（现为On Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管，常用于高频功率放大器和射频（RF）应用。这款MOSFET专为在175 MHz至500 MHz频率范围内工作而设计，具备高功率增益和优异的线性度，适合用于广播、通信设备和工业控制系统中的射频功率放大器。MRF607采用TO-220AB封装，具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高功率条件下可靠运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电压（VDSS）：600 V
　　最大漏极电流（ID）：15 A
　　最大功耗（PD）：150 W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：4 V（典型值）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.38 Ω（最大值）
　　频率范围：175 MHz至500 MHz
　　增益：典型值20 dB
　　输出功率：在400 MHz时可达25 W
　　封装形式：TO-220AB

特性

MRF607 具备一系列适用于射频功率放大器应用的关键特性。首先，其高漏极电压能力（600 V）和较大的漏极电流容量（15 A）使其能够在高功率环境下稳定运行，适用于需要高输出功率的场合。其次，该器件的导通电阻较低（最大0.38 Ω），有助于降低导通损耗，提高效率。此外，MRF607在175 MHz至500 MHz的工作频率范围内表现出优异的增益性能（典型20 dB），确保了在射频应用中能够实现高效放大。该器件还具有良好的热稳定性，TO-220AB封装能够有效散热，确保长时间运行的可靠性。
　　另一项重要特性是MRF607的栅极阈值电压（VGS(th)）相对稳定，约为4 V，便于设计者进行偏置电路的设计。此外，MRF607的输出功率在400 MHz时可达25 W，适用于中功率射频放大器应用，例如广播发射器、通信设备和工业射频加热系统。其高线性度和低失真特性也使其成为模拟和数字通信系统中理想的放大器元件。

应用

MRF607 主要用于射频功率放大器领域，尤其是在175 MHz至500 MHz频率范围内的应用。它广泛应用于广播发射机、无线通信设备、工业射频加热系统、测试仪器和功率放大器模块。在广播设备中，MRF607用于调频（FM）广播发射机的末级放大，提供高保真和高稳定性的输出信号。在通信系统中，它可用于陆地移动无线电（LMR）和业余无线电设备中的射频功率放大器。此外，由于其良好的线性度和高效率，MRF607也适用于数字通信系统中的线性放大器设计。