容量：2GB
　　类型：DDR4 SDRAM
　　速度：3200Mbps
　　电压：1.2V
　　封装类型：FBGA
　　数据宽度：x16
　　时钟频率：1600MHz
　　工作温度：-40°C 至 +85°C

H9CKNNNAETAP-LRNUH 是一款高性能的DDR4 SDRAM芯片，具有高数据传输速率和低功耗设计，适用于各种高性能计算和存储应用。该芯片支持先进的刷新和自刷新功能，能够在不丢失数据的情况下保持存储内容，同时具备低功耗自刷新模式（LPASR），以进一步降低功耗。此外，H9CKNNNAETAP-LRNUH 支持多种温度传感器和错误检测机制，确保在高负载和复杂环境下的数据完整性。
　　该DRAM芯片还支持Bank Group架构，可以提高数据访问效率，减少延迟。其封装形式为FBGA，具有良好的热性能和机械稳定性，适用于高密度PCB布局。H9CKNNNAETAP-LRNUH 还具备自动校准功能，能够根据系统环境调整时序参数，以优化性能和稳定性。
　　此外，该芯片支持多种模式寄存器配置，允许用户根据具体应用需求进行灵活配置，包括突发长度、CAS延迟、写入延迟等参数的调整。其高可靠性和兼容性使其成为服务器、工作站、高端PC和嵌入式系统中的理想选择。

H9CKNNNAETAP-LRNUH 常用于高性能计算设备、服务器、工作站、高端PC、网络设备、嵌入式系统以及工业控制系统等场景。该芯片的高带宽和低功耗特性使其适用于需要大量数据处理和高速内存访问的应用，例如图形处理、虚拟化、数据库管理、AI计算和视频流处理等。

H9CPNNNECTAP-LRNUH, H9CQNNNECTAP-LRNUB, H9CXNNNAETAP-LRNCR