时间：2025/8/2 6:50:13
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TPH4R003NL是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于各种高功率密度和高效率的应用场景。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流容量和优异的热稳定性。TPH4R003NL广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A（在Tc=25℃）
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON))：3mΩ（典型值）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-247
功耗（PD）：300W
TPH4R003NL的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(ON)），仅为3mΩ，这有助于显著降低导通损耗，提高系统效率。该特性使得器件在高电流应用中能够保持较低的温升，从而提升整体系统的稳定性和可靠性。
此外，该MOSFET采用高功率封装技术（TO-247），具备优异的散热性能和热稳定性，能够在高功率负载条件下长时间运行而不会出现性能退化。TPH4R003NL还具备高电流容量和良好的短路耐受能力，使其适用于需要高可靠性和高稳定性的工业级应用。
该器件的栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，同时确保了快速的开关响应时间，适用于高频开关电源和电机控制应用。TPH4R003NL的栅源电压范围为±20V，使其能够与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
值得一提的是，TPH4R003NL具有宽泛的工作温度范围（-55℃至175℃），可在极端环境条件下稳定运行，适用于汽车电子、工业自动化和可再生能源系统等复杂环境。
TPH4R003NL主要应用于高功率密度电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和工业自动化设备。由于其优异的导通性能和热管理能力，该器件也广泛用于新能源汽车中的电源管理系统和储能系统中。
在服务器电源、通信电源和工业电源中，TPH4R003NL常用于高效率同步整流电路和负载开关电路，以提升系统效率并减少热量产生。此外，在UPS（不间断电源）和太阳能逆变器系统中，该MOSFET可作为主功率开关使用，提供高可靠性和长寿命的电气性能。
TKA120N40Z,TMWS40N03CZ
